Toshiba เปิดตัว MOSFET แบบ Common-Drain ขนาดเล็กและบางที่มีคุณสมบัติ On-Resistance ต่ำมาก เหมาะสำหรับอุปกรณ์ชาร์จเร็ว
คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–18 พฤษภาคม 2023 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") ได้เปิดตัว “SSM14N956L” ซึ่งเป็น MOSFET แบบ N-channel ระบายน้ำทั่วไป 12V ที่มีพิกัดกระแส 20A สำหรับใช้ในวงจรป้องกันแบตเตอรี่ในชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน (Li-ion) เช่น สำหรับอุปกรณ์พกพา ซึ่งเริ่มจัดส่งแล้ววันนี้ Toshiba: SSM14N956L, MOSFET แบบ Common-Drain ขนาดเล็กและบางที่มีคุณสมบัติ On-Resistance ต่ำมาก (กราฟิก: […]