Toshiba เปิดตัว Power MOSFET แบบ N-channel 150V พร้อมความต้านทานต่อไฟฟ้าต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม และคุณลักษณะการฟืนตัวย้อนกลับที่ได้รับการปรับปรุงซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้กับแหล่งจ่ายไฟ
คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–30 มีนาคม 2023 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") ได้เปิดตัว Power MOSFET แบบ N-channel 150V “TPH9R00CQ5” ซึ่งใช้กระบวนการ U-MOSX-H เจนเนอเรชันล่าสุด[2] สำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งของอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร โดยเริ่มจัดส่งวันนี้ Toshiba: TPH9R00CQ5 ที่เป็น Power MOSFET แบบ N-channel 150V ที่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้กับแหล่งจ่ายไฟ (กราฟิก: Business […]