โตชิบาเปิดตัว Power MOSFETs พร้อมไดโอดความเร็วสูงที่จะช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของหน่วยจ่ายกำลัง

– สมาชิกใหม่ในซีรีส์ DTMOSVI รุ่นล่าสุดซึ่งใช้โครงสร้างแบบ Super Junction –

คาวาซากิ, ญี่ปุ่น –(BUSINESS WIRE)–22 กุมภาพันธ์ 2024

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("โตชิบา") ได้เพิ่ม DTMOSVI(HSD) ซึ่งเป็นทรานซิสเตอร์ Power MOSFETs ที่มีไดโอดความเร็วสูงและเหมาะสำหรับหน่วยจ่ายกำลังกลุ่ม Switching Power Supply รวมถึงศูนย์ข้อมูลและเครื่องกรองไฟฟ้า PV ในรุ่นล่าสุดของซีรีส์^[1] DTMOSVI ซึ่งใช้โครงสร้างแบบ Super Junction โดยสองผลิตภัณฑ์แรกสุดอย่าง Power MOSFETs 650V N-channel ในแพ็กเกจ TO-247 อย่าง "TK042N65Z5” และ “TK095N65Z5" จะเริ่มจัดส่งในวันนี้

บรรดาผลิตภัณฑ์ใหม่นี้จะใช้ไดโอดความเร็วสูงเพื่อปรับปรุงการฟื้นตัวของไดโอด^[2] ในแง่ของคุณสมบัติต่างๆ ที่สำคัญสำหรับการใช้งานในวงจรบริดจ์และวงจรอินเวอร์เตอร์ เมื่อเทียบกับ DTMOSVI แบบมาตรฐาน ทรานซิสเตอร์รุ่นใหม่ใช้เวลาในการฟื้นตัว (t_rr) น้อยลงถึง 65% และประจุฟื้นตัว (Q_rr) น้อยลง 88% (สภาวะแวดล้อมการวัดผล: -dI_DR/dt= 100A/μs)

กระบวนการ DTMOSVI(HSD) ที่ใช้ในผลิตภัณฑ์ใหม่ช่วยปรับปรุงคุณสมบัติในการฟื้นตัวของซีรีส์ DTMOSIV ที่ใช้ไดโอดความเร็วสูง (DTMOSIV(HSD)) ของโตชิบา โดยมีกระแสคัตออฟที่ขั้วเดรนต่ำลงที่อุณหภูมิสูง ส่วน Figure of Merit “Drain-Source On-resistance × Gate-Drain Charge” ก็ต่ำลงเช่นกัน  กระแสคัตออฟที่ขั้วเดรนที่อุณหภูมิต่ำของ TK042N65Z5 ต่ำลงประมาณ 90%^[3] ส่วน Drain-Source On-resistance × Gate-Drain Charge ต่ำลง 72% เมื่อเทียบกับ TK62N60W5 รุ่นปัจจุบันของโตชิบา^{[4] [5]} ตัวเลขที่ดีขึ้นนะจะช่วยลดการสูญเสียพลังงานของอุปกรณ์และปรับปรุงประสิทธิภาพ โดย TK042N65Z5 มีประสิทธิภาพของหน่วยจ่ายกำลังดีกว่า TK62N60W5 รุ่นปัจจุบันสูงสุด 0.4% ดังที่วัดได้ในวงจร LLC 1.5kW^[6]

สามารถดูงานออกแบบอ้างอิง “หน่วยจ่ายกำลังเซิร์ฟเวอร์ 1.6kW (รุ่นอัปเกรด)” ที่ใช้ TK095N65Z5 ได้แล้ววันนี้บนเว็บไซต์ของโตชิบา นอกจากนี้ โตชิบายังมีเครื่องมือให้ใช้สนับสนุนการออกแบบวงจรสำหรับ Switching Power Supply ด้วย นอกจากรุ่น G0 SPICE ที่ยืนยันการทำงานของวงจรได้ในเวลาอันสั้นแล้ว ยังมีรุ่น G2 SPICE ที่จำลองคุณสมบัติชั่วครู่ได้อย่างแม่นยำพร้อมให้ใช้งานเช่นกัน

โตชิบามีแผนที่จะขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ DTMOSVI(HSD) ด้วยการเปิดตัวอุปกรณ์ต่างๆ ในแพ็กเกจ TO-220 และ TO-220SIS แบบ Through-hole และแพ็กเกจ TOLL และ DFN แบบ 8×8 Surface-mount

บริษัทจะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ในซีรีส์ DTMOSVI ต่อไป นอกเหนือจากผลิตภัณฑ์ 650V และ 600V ที่เปิดตัวไปแล้ว และผลิตภัณฑ์ใหม่ที่มีไดโอดความเร็วสูง ซึ่งจะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของ Switching Power Supply ส่งผลให้อุปกรณ์ประหยัดพลังงานได้มากขึ้น

หมายเหตุ:
[1] ณ วันที่ 22 กุมภาพันธ์ 2024 ตามการสำรวจของโตชิบา
[2] การดำเนินการสวิตชิ่งซึ่งตัวไดโอดของ MOSFET จะเปลี่ยนจากไบแอสตรงไปเป็นไบแอสแบบย้อนกลับ
[3] วัดค่าโดยโตชิบา ค่าที่ได้จากผลิตภัณฑ์ใหม่ TK042N65Z5 คือ 0.2mA (สภาวะแวดล้อมการทดสอบ: V_DS=650V, V_GS=0V, T_a=150°C)
ค่าที่ได้จากผลิตภัณฑ์เดิม TK62N60W5 คือ 1.9mA (สภาวะแวดล้อมการทดสอบ: V_DS=600V, V_GS=0V, T_a=150°C)
[4] ซีรีส์ DTMOSIV(HSD) 600V
[5] วัดค่าโดยโตชิบา
สภาวะแวดล้อมการทดสอบ:
TK62N60W5
• R_DS(ON): I_D=30.9A, V_GS=10V, T_a=25°C
• Q_gd: V_DD=400V, V_GS=10V, I_D=61.8A, T_a=25°C
TK042N65Z5
• R_DS(ON): I_D=27.5A, V_GS=10V, T_a=25°C
• Q_gd: V_DD=400V, V_GS=10V, I_D=55A, T_a=25°C
[6] วัดค่าโดยโตชิบา
สภาวะแวดล้อมการทดสอบ: V_in=380V, V_out=54V, T_a＝25°C

การใช้งาน

อุปกรณ์อุตสาหกรรม

• Switching Power Supply (เซิร์ฟเวอร์ศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์สื่อสาร เป็นต้น)
• สถานีชาร์จ EV
• เครื่องกรองไฟฟ้า PV
• ระบบสำรองไฟฟ้า

 คุณสมบัติ

• MOSFETs ที่มีไดโอดความเร็วสูงในซีรีส์ DTMOSVI รุ่นล่าสุด
• เวลาฟื้นตัวเนื่องจากไดโอดความเร็วสูง:
  TK042N65Z5 t_rr=160ns (ปกติ)
  TK095N65Z5 t_rr=115ns (ปกติ)
• สวิตชิงได้ด้วยความเร็วสูงเนื่องจากมี Gate-Drain Charge ต่ำ:
  TK042N65Z5 Q_gd=35nC (ปกติ)
  TK095N65Z5 Q_gd=17nC (ปกติ)

ข้อมูลจำเพาะสำคัญ
(Ta=25°C เว้นแต่ระบุเป็นอื่น)
หมายเลขชิ้นส่วน			TK042N65Z5	TK095N65Z5
แพ็กเกจ	ชื่อ		TO-247
	ขนาด (มม.)	ปกติ	15.94×20.95, t=5.02
สัมบูรณ์ สูงสุด ระดับ	Drain-Source Voltage VDSS (V)		650
	Drain Current (DC) ID (A)		55	29
Drain-Source On-resistance RDS(ON) (Ω)	VGS=10 V	สูงสุด	0.042	0.095
Gate charge รวม Qg (nC)		ปกติ	105	50
Gate-Drain charge Qgd (nC)		ปกติ	35	17
ความจุไฟฟ้าขาเข้า Ciss (pF)		ปกติ	6280	2880
ความต้านทางความร้อน Channel-to-case Rth(ch-c) (°C/W)		สูงสุด	0.347	0.543
เวลาฟื้นตัว 　trr (ns)		ปกติ	160	115
ซีรีส์ปัจจุบันของโตชิบา (DTMOSIV) หมายเลขชิ้นส่วน			TK62N60W5[7]	TK35N65W5, TK31N60W5[7]

หมายเหตุ:
[7] V_DSS=600V

คลิกลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TK042N65Z5
TK095N65Z5

คลิกลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFETs ของโตชิบา
MOSFETs

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชั่นเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง โดยใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมที่สั่งสมมากว่าครึ่งศตวรรษในการนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน, ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพาร์ทเนอร์ทางธุรกิจ
พนักงานของบริษัทนับ 21,500 คนทั่วโลกต่างร่วมกันมุ่งมั่นเพิ่มคุณค่าของผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างคุณค่าและตลาดใหม่ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 8 แสนล้านเยน (6.1 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ) บริษัท Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่
ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53899054/en

ข้อมูลติดต่อ

สอบถามข้อมูลลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์กำลัง
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

สอบถามข้อมูลสื่อ:
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Dept.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation