Toshiba เปิดตัว SiC MOSFET รุ่นที่ 3 สำหรับเครื่องจักรอุตสาหกรรมพร้อมแพ็กเกจสี่พินที่ช่วยลดการสูญเสียเมื่อเปิดปิด

คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–31 สิงหาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba) ได้เปิดตัว MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) "ซีรีส์ TWxxxZxxxC” ที่ใช้แพ็กเกจ TO-247-4L(X) สี่พินที่ช่วยลดการสูญเสียเมื่อเปิดปิดด้วย^{[1 ]} ชิป SiC MOSFET รุ่นที่ 3 สำหรับเครื่องจักรอุตสาหกรรม การจัดส่งผลิตภัณฑ์สิบรายการจะเริ่มตั้งแต่วันนี้ โดยห้ารายการที่มีระดับ 650V และห้ารายการที่มีระดับ 1200V

ผลิตภัณฑ์ใหม่คือ ผลิตภัณฑ์แรกในกลุ่มผลิตภัณฑ์ SiC MOSFET ของโตชิบาที่ใช้แพ็กเกจ TO-247-4L(X) สี่พิน ซึ่งช่วยให้สามารถเชื่อมต่อแบบเคลวินของขั้วต่อแหล่งสัญญาณสำหรับไดรฟ์เกต แพ็กเกจสามารถลดผลกระทบของการเหนี่ยวนำสายไฟภายในแพ็กเกจ ปรับปรุงประสิทธิภาพการเปิดปิดความเร็วสูง สำหรับ TW045Z120C ใหม่ การสูญเสียเมื่อเปิดเครื่องจะลดลงประมาณ 40% และการสูญเสียเมื่อปิดเครื่องจะลดลงประมาณ 34%^[2] เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ปัจจุบันของ Toshiba ซึ่งคือ TW045N120C ในแพ็กเกจ TO-247 สามพิน ซึ่งจะช่วยลดการสูญเสียพลังงานของเครื่องจักร

การออกแบบอ้างอิงสำหรับอินเวอร์เตอร์สามเฟสที่ใช้ SiC MOSFETs ถูกเผยแพร่ทางออนไลน์

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ของตนต่อไปเพื่อตอบสนองแนวโน้มของตลาด และมีส่วนช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของเครื่องจักรและขยายกำลังการผลิตไฟฟ้า

หมายเหตุ:
[1] ณ เดือนสิงหาคม 2023
[2] ณ เดือนสิงหาคม 2023 ค่าที่วัดโดย Toshiba (เงื่อนไขการทดสอบ: V_DD=800V, V_GG=+18V/0V, I_D=20A, R_G=4.7Ω, L=100μH, T_a=25°C)

การใช้งาน

• การสลับแหล่งจ่ายไฟ (เซิร์ฟเวอร์ ศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์สื่อสาร ฯลฯ)
• สถานีชาร์จ EV
• อินเวอร์เตอร์ไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์
• เครื่องสำรองไฟ (UPS)

คุณสมบัติ

• แพ็กเกจสี่พิน TO-247-4L(X):
  การสูญเสียเมื่อเปิดปิดจะลดลงโดยการเชื่อมต่อแบบเคลวินของขั้วต่อแหล่งสัญญาณสำหรับไดรฟ์เกต
• SiC MOSFET รุ่นที่ 3
• ค่าความต้านทานจากแหล่งเดรนต่ำ x ค่าประจุเกต-เดรน
• แรงดันไปข้างหน้าของไดโอดต่ำ: V_DSF=-1.35V (typ.) (V_GS=-5V)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

					(Ta=25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
หมายเลขชิ้นส่วน	แพ็กเกจ	ระดับกระแสไฟสูงสุดโดยสัมบูรณ์			คุณลักษณะทางไฟฟ้า							การตรวจสอบตัวอย่าง และ ความพร้อม
		ค่าความต้านทาน จาก จากเกต VDSS (V)	ค่าประจุ จาก จากเกต VGSS (V)	กระแส เดรน (DC) ID (A)	ค่าความต้านทาน จาก แหล่ง เดรน RDS(ON) (mΩ)	แรงดันไฟฟ้า เทรชโฮลด์ จากเกต Vth (V)	ค่าประจุ เกต รวม Qg (nC)	ค่าประจุ เกต- รวม Qgd (nC)	อินพุต ความจุ Ciss (pF)		แรงดัน ไปข้างหน้า จากเกต VDSF (V)
				Tc=25°C	VGS=18V	VDS=10V	VGS=18V	VGS=18V	typ.	ทดสอบ สภาพ VDS (V)	VGS=-5V
					typ.		typ.	typ.			typ.
TW015Z120C	TO-247-4L(X)	1200	-10 ถึง 25	100	15	3.0 ถึง 5.0	158	23	6000	800	-1.35	ซื้อออนไลน์
TW030Z120C				60	30		82	13	2925			ซื้อออนไลน์
TW045Z120C				40	45		57	8.9	1969			ซื้อออนไลน์
TW060Z120C				36	60		46	7.8	1530			ซื้อออนไลน์
TW140Z120C				20	140		24	4.2	691			ซื้อออนไลน์
TW015Z65C		650		100	15		128	19	4850	400		ซื้อออนไลน์
TW027Z65C				58	27		65	10	2288			ซื้อออนไลน์
TW048Z65C				40	48		41	6.2	1362			ซื้อออนไลน์
TW083Z65C				30	83		28	3.9	873			ซื้อออนไลน์
TW107Z65C				20	107		21	2.3	600			ซื้อออนไลน์

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TW015Z120C
TW030Z120C
TW045Z120C
TW060Z120C
TW140Z120C
TW015Z65C
TW027Z65C
TW048Z65C
TW083Z65C
TW107Z65C

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFET

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับข้อเสนอโซลูชันของ Toshiba

การใช้งาน
เซิร์ฟเวอร์
เครื่องสำรองไฟ
ไฟ LED

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
TW015Z120C
ซื้อออนไลน์

TW030Z120C

ซื้อออนไลน์

TW045Z120C
ซื้อออนไลน์

TW060Z120C
ซื้อออนไลน์

TW140Z120C
ซื้อออนไลน์

TW015Z65C
ซื้อออนไลน์

TW027Z65C
ซื้อออนไลน์

TW048Z65C
ซื้อออนไลน์

TW083Z65C
ซื้อออนไลน์

TW107Z65C
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บขั้นสูง ที่ประยุกต์ใช้ประสบการณ์กว่าครึ่งศตวรรษและนวัตกรรมในการนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ชนิดแยกชิ้น ผลิตภัณฑ์ระบบ LSI และ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจ
พนักงานของบริษัท 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ร่วมกัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation คาดหวังที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีขึ้นเพื่อทุกคนทั่วโลก โดยมียอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ)
ดูข้อมูลเพิ่มเติมที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53546551/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

รายชื่อติดต่อ

ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation