Toshiba เปิดตัว SiC Schottky Barrier Diodes 650V รุ่น 3 ที่ช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีประสิทธิภาพมากขึ้น

KAWASAKI, Japan–(BUSINESS WIRE)–13 กรกฎาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว "ซีรีส์ TRSxxx65H” ^[1] ซึ่งเป็นรุ่นที่ 3 และเป็นรุ่นล่าสุดของบริษัทของซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) Schottky barrier diodes (SBD) สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม เริ่มจัดส่งผลิตภัณฑ์ 12 รายการแรกตั้งแต่วันนี้ ซึ่งทั้งหมดเป็น 650V โดยมี 7 รายการอยู่ในแพ็กเกจ TO-220-2L และ 5 รายการในแพ็กเกจ DFN8×8

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้โลหะชนิดใหม่ในชิป SiC SBD รุ่นที่ 3 ซึ่งปรับโครงสร้าง junction barrier Schottky (JBS)^[2] ของผลิตภัณฑ์รุ่นที่ 2 ให้เหมาะสมที่สุด โดยมีแรงดันไปข้างหน้าต่ำระดับแนวหน้าของอุตสาหกรรม^[3] ที่ 1.2V (Typ.) ต่ำกว่า 1.45V (Typ.) ของรุ่นก่อนหน้า 17% ทั้งยังปรับปรุงการแลกเปลี่ยนระหว่างแรงดันไปข้างหน้าและประจุไฟฟ้าทั้งหมด และระหว่างแรงดันไปข้างหน้าและกระแสย้อนกลับ ซึ่งช่วยลดการกระจายพลังงานและทำให้อุปกรณ์มีประสิทธิภาพสูง

หมายเหตุ:
[1] ณ เดือนกรกฎาคม 2023
[2] โครงสร้าง JBS ช่วยลดสนามไฟฟ้าที่อินเทอร์เฟซ Schottky และลดกระแสรั่วไหล
[3] ผลสำรวจของ Toshiba ในเดือนกรกฎาคม 2023

การใช้งาน

• แหล่งจ่ายไฟแบบสลับ
• สถานีชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า
• อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์

คุณสมบัติ

• แรงดันไปข้างหน้าต่ำระดับอุตสาหกรรม^[3] : V_F＝1.2V (Typ.) (I_F=I_F(DC))
• กระแสย้อนกลับต่ำ:
  TRS6E65H I_R＝1.1μA (Typ.) (V_R=650V)
• ประจุตัวเก็บประจุรวมต่ำ
  TRS6E65H Q_C＝17nC (Typ.) (V_R=400V, f=1MHz)

ข้อกำหนดหลัก

(เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น, Ta=25°C)
หมายเลขชิ้นส่วน	บรรจุภัณฑ์	พิกัดสูงสุด					คุณลักษณะทางไฟฟ้า				ตัวอย่าง การตรวจสอบและ ความพร้อมใช้งาน
		แรงดัน ย้อนกลับ สูงสุด แบบซ้ำ VRRM (V)	กระแส ตรง ไปข้างหน้า IF(DC) (A)		กระแสไฟ พุ่งสูง แบบไม่ซ้ำ IFSM (A)		กระแส แบบซ้ำ (การวัด แบบพัลส์) VF (V)	สูงสุด ไปข้างหน้า (การวัด แบบพัลส์) IR (μA)	ความจุ รวม Ct (pF)	ความจุ ที่เก็บสะสม รวม QC (nC)
				สภาพอุณหภูมิ Tc (°C)	f=50Hz (คลื่น ครึ่งไซน์ t=10ms) Tc=25°C	สี่เหลี่ยม ครึ่งไซน์ t=10μs, Tc=25°C	IF=IF(DC)	VR=650V	VR=400V, f=1MHz
							ประเภท	ประเภท	ประเภท	ประเภท
TRS2E65H	TO-220-2L	650	2	164	19	120	1.2	0.2	10	6.5	ซื้อออนไลน์
TRS3E65H			3	161	28	170		0.4	14	9	ซื้อออนไลน์
TRS4E65H			4	158	36	230		0.6	17	12	ซื้อออนไลน์
TRS6E65H			6	153	41	310		1.1	24	17	ซื้อออนไลน์
TRS8E65H			8	149	56	410		1.5	31	22	ซื้อออนไลน์
TRS10E65H			10	148	62	510		2.0	38	27	ซื้อออนไลน์
TRS12E65H			12	148	74	640		2.4	46	33	ซื้อออนไลน์
TRS4V65H	DFN8×8		4	155	28	230		0.6	17	12	ซื้อออนไลน์
TRS6V65H			6	151	41	310		1.1	24	17	ซื้อออนไลน์
TRS8V65H			8	148	45	410		1.5	31	22	ซื้อออนไลน์
TRS10V65H			10	145	54	510		2.0	38	27	ซื้อออนไลน์
TRS12V65H			12	142	60	640		2.4	46	33	ซื้อออนไลน์

คลิกลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TRS2E65H
TRS3E65H
TRS4E65H
TRS6E65H
TRS8E65H
TRS10E65H
TRS12E65H
TRS4V65H
TRS6V65H
TRS8V65H
TRS10V65H
TRS12V65H

คลิกลิงก์ด้านล่างเพื่อเรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ Schottky Barrier Diode ที่ใช้วัสดุ SiC ของ Toshiba

 Schottky Barrier Diodes ที่ใช้วัสดุ SiC

หากต้องการตรวจสอบว่าผลิตภัณฑ์ใหม่มีจำหน่ายที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์หรือไม่ โปรดไปที่:
TRS2E65H
ซื้อออนไลน์

TRS3E65H
ซื้อออนไลน์

TRS4E65H
ซื้อออนไลน์

TRS6E65H
ซื้อออนไลน์

TRS8E65H
ซื้อออนไลน์

TRS10E65H
ซื้อออนไลน์

TRS12E65H
ซื้อออนไลน์

TRS4V65H
ซื้อออนไลน์

TRS6V65H
ซื้อออนไลน์

TRS8V65H
ซื้อออนไลน์

TRS10V65H
ซื้อออนไลน์

TRS12V65H
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แยกระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัทกว่า 21,500 คนทั่วโลกต่างมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในการสร้างอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่
ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53451045/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ฝ่ายลูกค้าสัมพันธ์:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ฝ่ายสื่อมวลชนสัมพันธ์:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

 

พันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย